2012中國LED產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展高峰論壇 期待您的加入
來自路明科技、凹凸科技、國星光電、雷曼光電、英飛特電子等LED相關(guān)制造商,以及工信部、行業(yè)協(xié)會、研究機構(gòu)的領(lǐng)導(dǎo)與專家和現(xiàn)場聽眾分享了2011年最新的LED市場趨勢與商機,以及技術(shù)、策略,整個論壇分享和互動氣氛熱烈,專家與聽眾深入溝通交流。
我國LED重大裝備、襯底和外延材料、芯片制造、器件封裝以及應(yīng)用等方面均已顯現(xiàn)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的單元技術(shù),部分核心技術(shù)具有原創(chuàng)性,初步形成了從上游 材料、中游芯片制備、下游器件封裝及集成應(yīng)用的比較完整的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)體系,為我國LED產(chǎn)業(yè)做大做強在一定程度上奠定了基礎(chǔ)。
國內(nèi)唯一首次利用自主研發(fā)的MOCVD工程化樣機(7×2’’)生長LED達到8mW;國內(nèi)首臺MOCVD設(shè)備制造的藍光小芯片LED在20mA下發(fā)光功率達到8.3mW,發(fā)光波長460nm。
HVPE設(shè)備可能成為未來半導(dǎo)體照明的核心基礎(chǔ)設(shè)備,目前上還尚無成熟的商業(yè)化國際設(shè)備,國內(nèi)自主研制的HVPE設(shè)備生長的材料性能:HVPE GaN外延片XRD衍射半峰寬141弧秒,為當時國內(nèi)報道的最好水平;C面GaN厚膜生長速度超過100微米/h,表面粗糙度5-6nm,雙晶結(jié)果 (002)約105arcsec,(102)為140arcsec,顯示了高晶體質(zhì)量;半極性GaN厚膜表面粗糙度6 nm左右,表面層錯大幅度降低,雙晶最好結(jié)果約低于300 arcsec,是目前報道的最好結(jié)果之一。
半導(dǎo)體照明“十二五”重大項目的各項任務(wù),其最終目標都是圍繞面向200lm/W的半導(dǎo)體通用照明目標而努力。未來十年GaN襯底是實現(xiàn)200lm/W半導(dǎo)體照明技術(shù)最有潛力的技術(shù),將推動半導(dǎo)體照明進入通用照明市場。
在此基礎(chǔ)上,2012中國LED產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展高峰論壇相信會更加精彩!
(好展會網(wǎng) led專題 )
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